اثر دروازهای ناهنجار در گرافن دولایه/BN: تنظیم با زاویه چرخش
پژوهشگران کشف کردهاند که چرخش جزئی لایههای نیترید بور در گرافن دولایه میتواند اثرات دروازهای ناهنجاری مانند ناکارآمدی گیت و هیسترزیس ایجاد کند.
نانوالکترونیک
گرادیان فاز در لایههای نازک تنگستن: گامی نوین در اسپینترونیک بدون میدان مغناطیسی خارجی
این مقاله به بررسی روشی نوین برای ایجاد گرادیان فاز در لایههای نازک تنگستن میپردازد که امکان سوئیچینگ مغناطیسی بدون میدان خارجی را فراهم میکند.