نانوالکترونیک و مواد پیشرفته

پژوهشگران کشف کرده‌اند که چرخش جزئی لایه‌های نیترید بور در گرافن دولایه می‌تواند اثرات دروازه‌ای ناهنجاری مانند ناکارآمدی گیت و هیسترزیس ایجاد کند.