بررسی الکترومغناطیس در ساختارهای هتروستروکتور GaSe-VPSe3-GaSe
این مقاله به بررسی الکترومغناطیس در ساختارهای هتروستروکتور GaSe-VPSe3-GaSe میپردازد و نویدبخش تحولی در صنعت حافظه و الکترونیک است.
این مقاله به بررسی الکترومغناطیس در ساختارهای هتروستروکتور GaSe-VPSe3-GaSe میپردازد و نویدبخش تحولی در صنعت حافظه و الکترونیک است.
این مقاله به بررسی بهینهسازی عملکرد مغناطیسی-dielectric نانوکامپوزیتهای فریت اسپینل Co-Mn-Mg-Zn و کاربردهای آنها در فرکانسهای بالا میپردازد.
ترانزیستورهای پرواسکایت هالید به عنوان یکی از فناوریهای نوین در صنعت الکترونیک، به سرعت در حال پیشرفت هستند و نیاز به استانداردهای معتبر دارند.
این مقاله به بررسی تأثیر تونلزنی کوانتومی و جریان نشتی در مواد دو بعدی میپردازد و کاربردهای آن را در صنعت بررسی میکند.
این مقاله به بررسی رفتار سوئیچینگ مقاومتی در نانوکامپوزیتهای گرانولی Co2FeSi و Mn با زمینه Al2O3 میپردازد و کاربرد آن در حافظههای غیرفرار را تحلیل میکند.