تأثیر افت ناهمگن باند گپ بر تشکیل مسیرهای یون سنگین در Al2O3
این مقاله به بررسی تأثیر افت ناهمگن باند گپ بر تشکیل مسیرهای یون سنگین در Al2O3 میپردازد و نتایج جالبی را ارائه میدهد.
این مقاله به بررسی تأثیر افت ناهمگن باند گپ بر تشکیل مسیرهای یون سنگین در Al2O3 میپردازد و نتایج جالبی را ارائه میدهد.
این مقاله به بررسی رفتار سوئیچینگ مقاومتی در نانوکامپوزیتهای گرانولی Co2FeSi و Mn با زمینه Al2O3 میپردازد و کاربرد آن در حافظههای غیرفرار را تحلیل میکند.