گرادیان فاز در لایههای نازک تنگستن: گامی نوین در اسپینترونیک بدون میدان مغناطیسی خارجی
این مقاله به بررسی روشی نوین برای ایجاد گرادیان فاز در لایههای نازک تنگستن میپردازد که امکان سوئیچینگ مغناطیسی بدون میدان خارجی را فراهم میکند.
این مقاله به بررسی روشی نوین برای ایجاد گرادیان فاز در لایههای نازک تنگستن میپردازد که امکان سوئیچینگ مغناطیسی بدون میدان خارجی را فراهم میکند.